过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压
分类：产品知识 日期：2024-08-02 浏览：987 查看 »
可控硅又称为晶闸管，晶闸管是硅晶体闸流管的简称。可控硅是大功率变流器件，利用其整流可控特性可方便地对大功率电源进行控制和变换。它具有体积小、重量轻、耐压高、容量大，使用维护简单、控制灵敏等优点，所以在生产上得到了广泛应用
分类：产品知识 日期：2024-08-01 浏览：956 查看 »
目前交流调压多采用双向可控硅，它具有体积小、重量轻、效率高和使用方便等优点，对提高生产效率和降低成本等都有显著效果，但它也具有过载和抗干扰能力差，且在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点，下面我们来谈谈可控硅在其使用中如何避免上述问题
分类：产品知识 日期：2024-07-31 浏览：904 查看 »
静止式进相器是串接在电机转子回路中，通过改变转子电流与转子电压的相位关系，进而改变电机定子电流与电压的相位关系，达到提高电机自身的功率因数和效率，提高电机过载能力、降低电机定子电流、降低电机自身损耗的目的
分类：产品知识 日期：2024-06-26 浏览：923 查看 »
可控硅和IGBT是现代电力电子领域中常用的两种功率半导体器件。虽然两者都能在电力控制和转换中发挥重要作用，但它们在结构、工作原理、性能特点和应用等方面存在着显著差异。本文将详细介绍可控硅和IGBT的区别
分类：产品知识 日期：2024-06-26 浏览：1165 查看 »
