高边和低边MOSFET（或低边续流二极管）该如何选型？

　　功率MOSFET的选型

　　本节要讨论的问题是，非同步或同步降压型开关控制器电源电路中，高边和低边MOSFET（或低边续流二极管）该如何选型？

　　非同步或同步降压电路中使用的功率开关元件，除了少数器件使用三极管和P-MOSFET外，多数都使用N-MOSFET。功率MOSFET重要的五个参数是，击穿电压VBR(DSS)（漏极-源极之间的耐压）、最大漏极-源极电流IDS(MAX)或连续漏极电流ID、导通电阻RDS(ON)、阈值电压VGS(TH)和反向传输电容CRSS。

　　当功率MOSFET应用在降压电路时，其参数需要满足以下条件：

　　1、击穿电压值VBR(DSS)：必须大于最大输入电压VIN(MAX)，而且留出一定的裕量来应对因寄生电感等导致的输入电压尖峰，通常可取功率MOSFET耐压值为最大输入电压VIN(MAX)的1.3 – 1.5倍。

　　2、连续漏极电流ID：（在CCM模式下）高边开关管MOSFET的过流能力IDS(MAX)至少需要大于等于其上平均电流D*Iout（公式(3.232)）或有效电流 √(D×(I_OUT^2+(?I_L^2)/12) ) （公式(3.236)）；低边开关管MOSFET的过流能力至少需要大于等于其上平均电流(1-D)*Iout（公式(3.239)）或 √((1-D)×(I_OUT^2+(?I_L^2)/12) ) （公式(3.240)）。更加严格的高边和低边开关管MOSFET过流能力选择，可以选择大于等于电感上的峰值电流（Iout+(1/2)*ΔIL）。

　　3、导通电阻RDS(ON)：降压电路在CCM模式下高边和低边开关管MOSFET的导通损耗计算公式分别为

　　P_(SW-H,COND,AVG,TSW) = I_OUT^2 × R_(DS(ON)-H) × D

　　P_(SW-L,COND,AVG,TSW) = I_OU^2 × R_(DS(ON)-L) × (1-D)

　　可见，为了实现更高的转换效率，高边和低边开关管MOSFET导通电阻RDS(ON)参数越小越好。

　　所以，为了实现目标转换效率（通常，目标转换效率是“设计需求”中需要明确的参数之一），在要求总损耗功率为定值，进而分配的导通损耗为定值的情况下，高边和低边开关管MOSFET导通电阻RDS(ON)可取的最大值分别如下：
　　这就是在BUCK电路设计中进行功率MOSFET选型时其导通电阻RDS(ON)这个参数的选择依据。