三极管和MOS管的正确应用剖析

（1）NPN型三极管

适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。 只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。 基极

用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）； 基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；

优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止； ②系统刚上电时，基极是确定的低电平。

（2）PNP型三极管

适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。 只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。 基极

用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）； 基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；

优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止； ②系统刚上电时，基极是确定的高电平。

（3）PMOS

适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。 只要栅极电压低于源极电压（此处为VCC）超过Vth（即Vgs超过-Vth），PMOS即可开始导通。 栅极用低电平驱动PMOS

导通（高电平时不导通）； 栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可

靠地截止。

（4）核磁阻

适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。 只要栅极电压高于源极电压（此处为GND）超过Vth（即Vgs超过Vth），NMOS即可开始导通。 栅极用高电平驱动NMOS导通

（低电平时不导通）； 栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。

所以，如上所述：

对PMOS来说，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。 不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。

对NMOS来说，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。 不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。